2019 Paris Autumn International Scientific Meeting, November 15 th, 2019

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2019 Paris Autumn International Scientific Meeting, November 15 th, 2019

Ecole Normale Supérieur (ENS) de Paris, 45 rue d’Ulm, Paris

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Presenters

Vincent SALLET
Chercheur CNRS
Laboratorio GEMaC, Universidad de Versailles/Universidad Paris-Saclay:
«Croissance et applications des nanostructures ZnO»

Rémy CHAPOULIE
Professeur de l’Université Bordeaux-Montaigne
Directeur du laboratoire IRAMAT-CRP2A (UMR 5060)
« Archéomtéraiux: plus de 20 ans de coopération scientifique du laboratoire IRAMAT-CRP2A (UMR 5060 CNRS – Univ. Bordeaux-Montaigne) avec des chercheurs du Pérou »

Ekaterine CHIKOIDZE
IR CNRS
Lab. GEMaC, Université de Versailles SQY / Université Paris Saclay
«Challenge of  electrical conductivity in Wide Band gap Oxides»

Luc CHASSAGNE
Professeur de la Université de Versailles/Université Paris Saclay
Directeur du laboratoire LISV – UVSQ
«Les applications possibles de la technologie Li-Fi»

Alain LUSSON
Chercheur CNRS
Lab. GEMaC, , Université de Versailles SQY / Université Paris Saclay
«Optical spectroscopies in semiconductors»

Camilo VALENCIA ESTRADA and Jorge GARCIA-MARQUEZ
Research Engineers at Oledcomm SAS and LNE respectively
«Foundamentals on freeform surfaces’ optics design»

José ORDONEZ
Chercheur CNRS,
laboratorio Pprime, Universidad de Poitiers)
« Memoria Térmica en Base a un Memristor Térmico ».

William DIEGO MAZA
Expert Orange
Orange, «Networks of the Future» (NoF) community)
«La tecnología 5G y sus desafíos»

Kevin CONTRERAS
Research Scientist – Optical Engineer
Thales SESO
Fundamentos del Sensado de Frentes de Onda y sus últimos avances y aplicaciones en la industria »

-Modesto MONTOYA
Docente investigador de la Universidad Nacional de Ingeniería- PERU
«Simulación de experimentos sobre distribución de masa, energía y multiplicidad de neutrones inmediatos de la fisión espontánea del 252Cf»

Jorge LINARES
Professeur de la Université de Versailles/Université Paris Saclay
Laboratoire GEMaC, Universidad de Versailles/Universidad Paris-Saclay
«Estudio, par la simulation Monte Carlo, de la variación térmica del espectro de fonones en un compuesto de transición de espín »

Jhenry F. AGREDA DELGADO and Claver W. ALDAMA REYNA
Physics Department of National University of Trujillo-Peru
«Photoacoustic characterization of nanoparticles obtained by laser ablation in liquids»

Celina LUIZAR OBREGON
Universidad San Antonio de Abad del Cusco : UNSAAC – Perú
«Análisis por XRF y FTIR de la tinta metalogálica de un documento del siglo XVI del archivo histórico del Cusco»

Resúmenes
Abtracts

La tecnología 5G y sus desafíos
Diego Maza

Orange
La nueva generación de redes móviles que comienza a ser desplegada en algunos países de mundo es llamada 5G. Esta nueva generación trae muchas promesas como grandes velocidades de datos, el soporte del internet de las cosas y el manejo de aplicaciones en tiempo real. Agregado a ello esta tecnología se ha convertido, más allá del aspecto tecnológico, en una herramienta clave para el desarrollo de la economía digital un país, a tal punto las grandes potencias mundiales han hecho de la 5G una prioridad nacional. En esta presentación ilustraremos de manera simple que es la 5G y de qué manera podría afectar nuestro cotidiano y sobre todo que impactos podría tener en la economía digital latinoamericana y mundial.

Vincent Sallet
Laboratoire de Physique des Solides et Cristallogénèse, LPSC, Meudon

Vincent Sallet obtained his PhD in Physics from the University of Paris VII in 1994. After two years in the industry, working as an engineer for the development of silicon based sensors for aerospace applications, he joined the CNRS as permanent researcher in 1997 (Laboratoire de Physique des Solides et Cristallogénèse, LPSC, Meudon). He studied wide bandgap II-VI semiconductors for LEDs, grown by metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD). From 2002 to 2006, he worked at the Laboratoire de Photonique et Nanostructures (LPN, Marcoussis) to investigate original diluted nitrides (III-V-N) grown by using molecular beam epitaxy technique (MBE) laser emission at 1,3 and 1.55 µm. Since 2006, he leads the activity on ZnO and related materials at GEMAC (CNRS-University of Versailles). The research activities are semiconductor nanowires growth, characterization, heterostructures, and nanostructures physics.

Growth and applications of ZnO nanowires
Vincent Sallet
Laboratoire de Physique des Solides et Cristallogénèse, LPSC, Meudon
Semiconductor nanowires have already demonstrated enormous potential for future generations of electronic and optoelectronic nanodevices. For now more than a decade, silicon and III-V compounds (GaN, GaAs…) based nanostructured demonstrators have been realized and have shown to improve the performances of a variety of devices such as transistors, LEDs, sensors, solar cells, and have open the way to new types of nanogenerators based on piezoelectric nanowires (NWs). Semiconductor nanostructures made of II-VI materials are also attractive, in particular ZnO nanowires which can be easily grown using industrial and low-cost techniques. ZnO offers a tremendous combination of physical properties such as a wide direct bandgap, large exciton binding energy, piezoelectric properties, biocompatibility, surface reactivity… This talk will present the growth by using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) of ZnO nanowires, and their potential applications for original devices.

Jose Ordonez-Miranda
Institute Pprime in Futuroscope, CNRS, France

Memoria Térmica de un Memristor Térmico
Jose Ordonez-Miranda
Institute Pprime in Futuroscope, CNRS, France
En base a la histéresis térmica de un material de cambio de fase sólida que intercambia calor por radiación con uno de fase invariante, proponemos un memristor térmico caracterizado por una curva de Lissajous entre el flujo de calor intercambiado y su diferencia de temperatura modulada periódicamente en el tiempo. Para un memristor con terminales de VO2 y un cuerpo negro, se muestra que: (i) las variaciones en temperatura de su memresistencia siguen un ciclo cerrado determinado por el ancho de histéresis térmica del VO2. (ii) La relación de activación/desactivación de la resistencia térmica esta determinada por el contraste de la emisividad del VO2 entre sus fases aislantes y metálicas, y es igual a 3.6. La analogía del memristor propuesto con su contraparte eléctrica sienta las bases de la computación térmica con fotones. »
Jose Ordonez-Miranda is a CNRS researcher at the Institute Pprime in Futuroscope, France. His research area is the transport of heat by phonons, photons, electrons, and polaritons propagating in nanomaterials with applications in thermotronics. The Boltzmann transport equation and Maxwell’s equations of electromagnetism are his main tools of theoretical modeling.
He obtained his bachelor degree in applied physics at the National University Jorge Basadre Grohmann in Tacna, Peru and received his Master in Physics from CINVESTAV in Merida, Mexico. Jose holds a Ph. D. degree in physics granted by CINVESTAV in collaboration with the University of Colorado in Boulder, USA. He performed a postdoc in the laboratory EM2C at the Ecole Centrale Paris, and was recruited by the CNRS in October 2015, for which he currently works as a full researcher (CRCN).
As a result of his research activities, since he began his Ph.D. studies in 2008, Jose has published 80 scientific papers and one book chapter. His Ph.D. thesis has been recognized by CINVESTAV and UNAM as the best doctoral thesis in sciences and materials sciences of Mexico in 2011, respectively. In addition, he was awarded the prize of outstanding young researcher granted by the International Photoacoustic and Photothermal Association (IPPA), in 2014, Shanghai, China..

Organizan
Red Internacional de Ciencia y Tecnología
Universidad de Versalles,
FranciaAsociación franco-peruana “Puya de Raymondi”
Asepef AlumniAsociación de Científicos Peruanos de Francia
Federación Internacional de Sociedades Científicas
Academia Nuclear del Perú
Centro de Preparación para la Ciencia y Tecnología
Auspician   
    
www.encuentrocientificointernacional.org
Objetivos:
Conocer los temas y los avances de investigación de investigadores internacionales en temas relacionados con el desarrollo científico y tecnológía del Perú.
Promover la participación de investigadores internacionales en proyectos de investigación en colaboración con instituciones peruanas.
Promover la participación de investigadores peruanos en proyectos internacionales sobre temas peruanos
Purpose
Encourage researchers around the world to study topics related to Peru.
To identify areas of global research that could be of interest to peruvian researchers working in Peru.
Promote scientific collaboration between peruvian institutions and international institutions. 

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