ECI 2019v: Transistores de grafeno, Pedro Flores Silva (UNAM, México)

Transistores de grafeno

Pedro Flores Silva^1,2, Carlos Borja Hernández^1,2, Laura Serkovic Loli²

¹ Universidad Nacional Autónoma de México, Facultad de Ciencias, Ciudad de México, México

² Universidad Nacional Autónoma de México, Instituto de Física, Ciudad de México, México

Resumen

Las propiedades electrónicas y de transporte de calor del grafeno lo hacen un material muy interesante para las aplicaciones electrónicas [1]. En el presente trabajo, se presenta el diseño, fabricación y caracterización de transistores de efecto de campo de grafeno (GFET), usando como dieléctrico una película delgada de TiO2 sobre diferentes sustratos semiconductores: Si dopado p y Si dopado n. La película de TiO2 se depositó sobre los sustratos de silicio dopado mediante las técnicas de sputtering y rocío pirolítico. Se muestran los resultados de las curvas de corriente versus voltaje y resistencia versus voltaje de compuerta para cada transistor y cómo se dopa el grafeno dependiendo del sustrato de silicio sobre el cuál se depositó el TiO2 y el método de transferencia del grafeno. Estos transistores serán usados como sensores de moléculas en un futuro [2].

Descriptores: Grafeno CVD, GFET, TiO2.

Abstract

In this work, we present a graphene field effect transistor GFET using a thin film of TiO2 as the dielectric layer [1]. We show the different dopings obtained in different samples when using n-doped or p-doped silicon as a substrate and also how the doping in graphene changes due to its transfer process. This GFETs will be used for sensing molecules in the near future [2].

Keywords: CVD graphene, GFET, TiO2

Referencias